В качестве задающего источника излучения в данном лазере использованы низковольтные полупроводниковые лазерные диоды, мощное излучение которых с длиной волны 808 нм может быть применено для реализации различных методов лазерной медицины, в частности, для терапии злокачественных опухолей методом лазерной гипертермии. Кроме того, предусмотрена возможность использования этого излучения для возбуждения генерации специального лазерного кристалла в ближней инфракрасной области спектра. Схема внутрирезонаторного преобразования этого излучения во вторую гармонику на современных кристаллических элементах обеспечивает эффективное преобразование этого излучения в зеленую область спектра, важную для реализации другого метода терапии, известного как метод селективного фототермолиза, широко применяемого в косметологии, дерматологии и гинекологии.
Кроме того, лазер может быть использован в технике, производстве и научных исследованиях. Основные технические характеристики: первая длина волны излучения - 808 нм, мощность излучения на этой длине волны ~ 30 Вт, вторая длина волны излучения - 532 нм, мощность излучения на этой длине волны ~ 5 Вт.
Конструкция лазера может быть адаптирована под конкретные задачи заказчиков.
Иркутский филиал Института лазерной физики СО РАН
664033, г. Иркутск, ул.Лермонтова, 130 а, а/я 4038
тел./факс: (3952) 51-21-60, e-mail: filial@ilph.irk.ru
Руководитель проекта – директор, проф.,
д.ф.-м.н. Мартынович Евгений Федорович